Microelectronic Devices and Circuits¶

课程简介¶

• 机构： University of California, Berkeley
• 课程编号： EE 105
• 方向： 微电子学
• 评级： A
• 角色： 替代
• 难度： 提供方未标准化（请按先修判断）
• 最近复核： 2026-07-28

University of California, Berkeley 的《Microelectronic Devices and Circuits》以公开讲义、作业和实验提供另一条微电子学习路径；付费教材与不完整答案限制独立反馈。

为什么选择这门课

替代课程，核心内容可靠，适合按自身背景作为主课或高质量替代。

学习前准备

• 建议先完成方向基础：半导体器件
• 建议先完成方向基础：电路分析

可验证的学习成果

• 解释微电子学中的核心模型，并说明主要假设与适用边界
• 独立完成代表性推导与题目，并用量纲、极限情形或数值结果交叉检查
• 完成可复现实验或实现，保留原始数据、参数、版本和验证记录

工时与节奏

10 周，每周 8 小时。 这是维护者规划估计，依据课程角色与公开练习、实验密度生成，不是提供方工时承诺。先试学两周，分别记录授课、练习、实验和复盘时间；若实际偏差超过 25%，据实调整剩余计划。

安全等级

低能量实验。 仅开展隔离、限流、低能量实验；通电前检查额定值、接地、短路风险和紧急断电方式。

课程资源¶

软件、硬件与成本

软件

• 维护者建议的开源/免费验证路径：ngspice、Qucs-S、KiCad、Python 3 与 Jupyter
• 资源清单包含公开代码覆盖；复现时固定解释器、依赖、工具链、数据集和 PDK（如适用）版本

硬件

• 资源清单包含实验覆盖；优先借用或共享课程指定器件、限流低压电源、面包板或测试 PCB、数字万用表与示波器。仅在提供方实验手册明确要求后核对规格、许可与安全条件

成本说明

建议软件栈可开源或免费使用；这不是提供方要求或物料清单。开发板、元件、打样和仪器的实际清单与费用以提供方实验手册、地区和当地可得性为准，采购前优先借用、共享或仿真。

公开资源完整度

资源与访问条件

“官方页已列出”表示核验日从成功访问的官方来源页发现该链接，不保证目标文件在所有地区或账号状态下都能直接打开。访问不代表获得再分发权；下载、改编或公开发布前，应重新核对提供方页面、目标链接及其中第三方材料的许可。

实践与验收¶

实践闭环

《Microelectronic Devices and Circuits · University of California, Berkeley EE 105》晶体管级放大器跨角验证

这是维护者为《Microelectronic Devices and Circuits · University of California, Berkeley EE 105》建议的自学项目，不是课程官方作业。围绕微电子学设计一个晶体管级增益单元或逻辑门，完成偏置、小信号、瞬态和工艺/电压/温度角验证。

来源： 维护者建议项目

交付物

• 器件尺寸、偏置、电源、负载、额定值与目标规格计算
• 晶体管级原理图/网表和 DC、AC、瞬态、噪声与角落测试
• 标称及至少 8 个 PVT/负载角的原始波形和规格表
• 一份报告，解释 gm、输出电阻、摆幅、延迟和最坏角

验收

• 标称工作点电流与手算相差不超过 10%，主要规格达到预设目标
• 覆盖截止、线性/饱和边界、最小电源、最大负载和温度极值
• 用小信号等效电路交叉核对增益/极点，差异低于 15%
• 对器件尺寸或阈值注入偏差，记录首个偏置失效与规格退化

复现要求

• 提交原理图/网表、模型、计算、角落配置和绘图源文件
• 固定 PDK/模型许可版本、仿真器、温度、电源和随机种子
• 保存原始波形、工作点、角落日志和自动生成报告

安全边界： 仅仿真 — 仅使用合法获取的器件模型进行仿真；不进行晶圆加工、高压探测或封装开盖。

风险、缺口与边界

公开讲义、作业和实验具有学习价值，但 Razavi 教材需要付费，且答案并不完整。

完成证据

• 按周学习日志：投入时间、问题、错误订正、决策、下一步，并链接本周可复现产物
• 设计审查包：需求与约束、方案权衡、可编辑源文件、适用的 ERC/DRC/时序/稳定性检查、导出物与复现实验
• 仿真包：模型或网表、输入、求解器与版本、参数扫描脚本、基准对照、预期结果及一条重新运行命令
• 代码仓库：固定依赖和工具链、最小运行命令、测试或波形/基准、预期输出与许可说明
• 实验包：原理图/装置设置、校准记录、原始数据、不确定度、安全检查、失败记录与从原始数据重建图表的步骤